GA05JT12-263 | GeneSiC Semiconductor GA05JT12-263 | GA05JT12-263 Inventory, Best Pricing

GA05JT12-263

Увеличить

Только для справки

номер части	GA05JT12-263
LIXINC Part #	GA05JT12-263
Производитель	GeneSiC Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	TRANS SJT 1200V 15A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	GA05JT12-263 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

GA05JT12-263 Технические характеристики

номер части:	GA05JT12-263
Бренд:	GeneSiC Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	GeneSiC Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	-
технологии:	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
напряжение сток-исток (vdss):	1200 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	15A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	-
rds on (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (макс.) @ id:	-
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	-
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	-
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	106W (Tc)
Рабочая Температура:	175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D2PAK (7-Lead)
упаковка / чехол:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015