IPB60R080P7ATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB60R080P7ATMA1 | IPB60R080P7ATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB60R080P7ATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB60R080P7ATMA1
LIXINC Part #	IPB60R080P7ATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB60R080P7ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB60R080P7ATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB60R080P7ATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ P7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	37A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 590µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	51 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	2180 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	129W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

AOB7S60L	MOSFET N-CH 600V 7A TO263	936 Подробнее о заказе
PHD101NQ03LT,118	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7	4864 Подробнее о заказе
RTR030P02HZGTL	MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3	3225 Подробнее о заказе
AUIRF2907ZS7PTL	AUTOMOTIVE HEXFET N CHANNEL	843 Подробнее о заказе
IPB80N03S4L03	N-CHANNEL POWER MOSFET	2808 Подробнее о заказе
AOW20S60	MOSFET N-CH 600V 20A TO262	962 Подробнее о заказе
APT1001RBVRG	MOSFET N-CH 1000V 11A TO247	924 Подробнее о заказе
BUK753R8-80E,127	TRANSISTOR >30MHZ	4625 Подробнее о заказе
AUIRFS8409-7TRL	MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK	965 Подробнее о заказе
IPP60R250CPXK	N-CHANNEL POWER MOSFET	889 Подробнее о заказе
IRFIB5N65APBF	MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3	1659 Подробнее о заказе
AUIRLU3114Z	MOSFET N-CH 40V 130A TO251-3	1609 Подробнее о заказе
SIR474DP-T1-GE3	MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8	2762 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015