Только для справки
номер части | TK100A10N1,S4X |
LIXINC Part # | TK100A10N1,S4X |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 100V 100A TO220SIS |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK100A10N1,S4X След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK100A10N1,S4X |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | U-MOSVIII-H |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 100 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 100A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 3.8mOhm @ 50A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 1mA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 140 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 8800 pF @ 50 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 45W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-220SIS |
упаковка / чехол: | TO-220-3 Full Pack |
IRFS4115PBF | HEXFET POWER MOSFET | 1324 Подробнее о заказе |
|
APT60M75JVR | MOSFET N-CH 600V 62A ISOTOP | 858 Подробнее о заказе |
|
RM3010S6 | MOSFET N-CHANNEL 30V 10A SOT23-6 | 948 Подробнее о заказе |
|
2SJ654 | P-CHANNL SILICON MOSFET | 17595 Подробнее о заказе |
|
XP234N08013R-G | MOSFET N-CH 30V 800MA SOT323-3 | 3835 Подробнее о заказе |
|
TN0620N3-G-P014 | MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3 | 839 Подробнее о заказе |
|
IRFB3006PBF | MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB | 991 Подробнее о заказе |
|
IPB45N04S4L-08 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 3974 Подробнее о заказе |
|
BSP372NH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223-4 | 962 Подробнее о заказе |
|
FDT461N | MOSFET N-CH 100V 540MA SOT223-4 | 47813 Подробнее о заказе |
|
RFD16N05SM9A | MOSFET N-CH 50V 16A TO252AA | 8867 Подробнее о заказе |
|
IPW65R280E6 | 650 V COOLMOS E6 POWER MOSFET | 1223 Подробнее о заказе |
|
RZM001P02T2L | MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3 | 50107 Подробнее о заказе |
В наличии | 10880 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $4.17000 | $4.17 |
50 | $3.34827 | $167.4135 |
100 | $3.05065 | $305.065 |
500 | $2.47024 | $1235.12 |
1000 | $2.08334 | $2083.34 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.