Только для справки
номер части | TK65S04N1L,LQ |
LIXINC Part # | TK65S04N1L,LQ |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 40V 65A DPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK65S04N1L,LQ След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK65S04N1L,LQ |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | U-MOSVIII-H |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 40 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 65A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 4.3mOhm @ 32.5A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 300µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 39 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2550 pF @ 10 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 107W (Tc) |
Рабочая Температура: | 175°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | DPAK+ |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
VP2106N3-G | MOSFET P-CH 60V 250MA TO92-3 | 1617 Подробнее о заказе |
|
IRFH5015TRPBF | MOSFET N-CH 150V 10A/56A 8PQFN | 1477 Подробнее о заказе |
|
IPP037N08N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 912 Подробнее о заказе |
|
IXTH2N150L | MOSFET N-CH 1500V 2A TO247 | 944 Подробнее о заказе |
|
IPD30N06S2L23ATMA1 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3 | 861 Подробнее о заказе |
|
FQB50N06TM | MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK | 1249 Подробнее о заказе |
|
STD52P3LLH6 | MOSFET P-CH 30V 52A DPAK | 2599 Подробнее о заказе |
|
DMN2005UFG-7 | MOSFET N-CH 20V 18.1A PWRDI3333 | 6578 Подробнее о заказе |
|
IPA028N08N3G | IPA028N08 - 12V-300V N-CHANNEL P | 6831 Подробнее о заказе |
|
FDS7766 | SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET | 12114 Подробнее о заказе |
|
FDMS8350L | MOSFET N-CH 40V 47A/200A POWER56 | 3940 Подробнее о заказе |
|
SST214 SOT-143 4L | HIGH SPEED N-CHANNEL LATERAL DMO | 1916 Подробнее о заказе |
|
FDMS5352 | MOSFET N-CH 60V 13.6A/49A 8PQFN | 3265 Подробнее о заказе |
В наличии | 13552 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.90000 | $1.9 |
2000 | $0.85033 | $1700.66 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.