Только для справки
номер части | TK30E06N1,S1X |
LIXINC Part # | TK30E06N1,S1X |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 60V 43A TO220 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK30E06N1,S1X След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK30E06N1,S1X |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | U-MOSVIII-H |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 60 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 43A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 15mOhm @ 15A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 200µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 16 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1050 pF @ 30 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 53W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-220 |
упаковка / чехол: | TO-220-3 |
IRFB7546PBF | MOSFET N-CH 60V 75A TO220AB | 1340 Подробнее о заказе |
|
STP4NK50ZD | MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB | 2829 Подробнее о заказе |
|
SIHP15N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 15A TO220AB | 1787 Подробнее о заказе |
|
PSMN1R9-25YLC,115 | MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 | 8194 Подробнее о заказе |
|
UF3C065030K3S | SICFET N-CH 650V 85A TO247-3 | 1368 Подробнее о заказе |
|
AOUS66616 | MOSFET N-CH 60V 33A/92A ULTRASO8 | 3846 Подробнее о заказе |
|
STB80NF55L-08-1 | MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK | 922 Подробнее о заказе |
|
SPW11N60CFDFKSA1 | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 6277 Подробнее о заказе |
|
BUK7604-40A,118 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK | 6534 Подробнее о заказе |
|
IPS075N03LGAKMA1 | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | 22105 Подробнее о заказе |
|
AON6268 | MOSFET N-CH 60V 44A 8DFN | 4162 Подробнее о заказе |
|
FQP2N40-F080 | MOSFET N-CH 400V 1.8A TO220-3 | 966 Подробнее о заказе |
|
5HN02N | N-CHANNEL SILICON MOSFET | 38463 Подробнее о заказе |
В наличии | 10835 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.02000 | $1.02 |
50 | $0.78900 | $39.45 |
100 | $0.68711 | $68.711 |
500 | $0.50897 | $254.485 |
1000 | $0.40718 | $407.18 |
2500 | $0.36900 | $922.5 |
5000 | $0.35628 | $1781.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.