IPDD60R125G7XTMA1 | IR (Infineon Technologies) IPDD60R125G7XTMA1 | IPDD60R125G7XTMA1 Inventory, Best Pricing

IPDD60R125G7XTMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPDD60R125G7XTMA1
LIXINC Part #	IPDD60R125G7XTMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 20A HDSOP-10
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPDD60R125G7XTMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPDD60R125G7XTMA1 Технические характеристики

номер части:	IPDD60R125G7XTMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™ G7
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	20A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	125mOhm @ 6.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 320µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	27 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1080 pF @ 400 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	120W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-HDSOP-10-1
упаковка / чехол:	10-PowerSOP Module

BSC0501NSIATMA1	MOSFET N-CH 30V 29A/100A TDSON	1700 Подробнее о заказе
AUIRF1018E	MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB	872 Подробнее о заказе
AOT66916L	MOSFET N-CH 100V 35.5/120A TO220	2408 Подробнее о заказе
PMF250XNE115	SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET	90959 Подробнее о заказе
CSD16408Q5	MOSFET N-CH 25V 22A/113A 8VSON	26238 Подробнее о заказе
EKI06051	MOSFET N-CH 60V 85A TO220-3	806 Подробнее о заказе
FQPF6N80T	MOSFET N-CH 800V 3.3A TO220F	5916 Подробнее о заказе
IRF2804STRRPBF	MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK	914 Подробнее о заказе
IXFT42N50P2	MOSFET N-CH 500V 42A TO268	840 Подробнее о заказе
BSC050N03LSGXT	BSC050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P	5859 Подробнее о заказе
DMP31D0U-7	MOSFET P-CH 30V 530MA SOT23	1000 Подробнее о заказе
SPB03N60C3ATMA1	MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3	2958 Подробнее о заказе
NVMFS5C410NAFT1G	MOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN	997 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015