Только для справки
номер части | BSZ065N03LSATMA1 |
LIXINC Part # | BSZ065N03LSATMA1 |
Производитель | IR (Infineon Technologies) |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | BSZ065N03LSATMA1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | BSZ065N03LSATMA1 |
Бренд: | IR (Infineon Technologies) |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | IR (Infineon Technologies) |
ряд: | OptiMOS™ |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Ta), 40A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 6.5mOhm @ 20A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 10 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 670 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 2.1W (Ta), 26W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PG-TSDSON-8-FL |
упаковка / чехол: | 8-PowerTDFN |
AOB190A60CL | MOSFET N-CH 600V 20A TO263 | 913 Подробнее о заказе |
|
R6020FNX | MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM | 1406 Подробнее о заказе |
|
SIHG20N50E-GE3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO247AC | 902 Подробнее о заказе |
|
TPH8R008NH,L1Q | MOSFET N-CH 80V 34A 8SOP | 5800 Подробнее о заказе |
|
IXFA110N15T2 | MOSFET N-CH 150V 110A TO263 | 91738 Подробнее о заказе |
|
TK62J60W,S1VQ | MOSFET N-CH 600V 61.8A TO3P | 986 Подробнее о заказе |
|
IRFIB41N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 2243 Подробнее о заказе |
|
BSH111BKR | MOSFET N-CH 55V 210MA TO236AB | 2428 Подробнее о заказе |
|
AUIRF7416QTR | PFET, 10A I(D), 30V, 0.02OHM, 1O | 4966 Подробнее о заказе |
|
BSZ075N08NS5ATMA1 | MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON | 894 Подробнее о заказе |
|
DMN24H3D5L-13 | MOSFET N-CH 240V 480MA SOT23 | 807 Подробнее о заказе |
|
SI2312BDS-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3 | 14502 Подробнее о заказе |
|
IPB020N04NGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7-3 | 32635 Подробнее о заказе |
В наличии | 28964 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.83000 | $0.83 |
5000 | $0.31204 | $1560.2 |
10000 | $0.30048 | $3004.8 |
25000 | $0.29418 | $7354.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.