Только для справки
номер части | TK6P60W,RVQ |
LIXINC Part # | TK6P60W,RVQ |
Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | TK6P60W,RVQ След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | TK6P60W,RVQ |
Бренд: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
ряд: | DTMOSIV |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.2A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 820mOhm @ 3.1A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 3.7V @ 310µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 12 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 390 pF @ 300 V |
Фет-функция: | Super Junction |
рассеиваемая мощность (макс.): | 60W (Tc) |
Рабочая Температура: | 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | DPAK |
упаковка / чехол: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
IPP032N06N3GXKSA1 | IPP032N06 - 12V-300V N-CHANNEL P | 848 Подробнее о заказе |
|
BTS112AE3045ANTMA1 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2427 Подробнее о заказе |
|
SI7812DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 | 8102 Подробнее о заказе |
|
NTD4809NA-1G | MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A IPAK | 86993 Подробнее о заказе |
|
FDMC8010DC | MOSFET N-CH 30V 37A 8PQFN | 3259 Подробнее о заказе |
|
IPD85P04P407ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 85A TO252-3 | 1000 Подробнее о заказе |
|
SIHA25N60EFL-E3 | MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220 | 861 Подробнее о заказе |
|
SISA10DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 30A PPAK1212-8 | 3432 Подробнее о заказе |
|
SIHF540STRL-GE3 | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK | 833 Подробнее о заказе |
|
AONS66612 | MOSFET N-CH 60V 46A/100A 8DFN | 4948 Подробнее о заказе |
|
IXFX66N85X | MOSFET N-CH 850V 66A PLUS247-3 | 9322 Подробнее о заказе |
|
STP32NM50N | MOSFET N CH 500V 22A TO-220 | 910 Подробнее о заказе |
|
PMN25ENEH | MOSFET N-CH 30V 6.1A 6TSOP | 825 Подробнее о заказе |
В наличии | 10999 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.87615 | $0.87615 |
2000 | $0.87615 | $1752.3 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.