Только для справки
номер части | FQI10N60CTU |
LIXINC Part # | FQI10N60CTU |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 600V 9.5A I2PAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | FQI10N60CTU След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | ![]() |
Перевозки | ![]() |
номер части: | FQI10N60CTU |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | QFET® |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 600 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 9.5A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 730mOhm @ 4.75A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 57 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 2.04 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.13W (Ta), 156W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | I2PAK (TO-262) |
упаковка / чехол: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
![]() |
BSP318SH6327XTSA1 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 | 3844 Подробнее о заказе |
![]() |
DMTH62M8LPS-13 | MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 | 931 Подробнее о заказе |
![]() |
AUIRF7734M2TR | MOSFET N-CH 40V 17A DIRECTFET M2 | 5618 Подробнее о заказе |
![]() |
SIDR622DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 64.6A PPAK | 2295 Подробнее о заказе |
![]() |
IRF9640SPBF | MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK | 1256 Подробнее о заказе |
![]() |
IXTK600N04T2 | MOSFET N-CH 40V 600A TO264 | 2734 Подробнее о заказе |
![]() |
DMT3006LFVQ-7 | MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333 | 860 Подробнее о заказе |
![]() |
IXTH30N60P | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 | 1608 Подробнее о заказе |
![]() |
SI4425BDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8SO | 11352 Подробнее о заказе |
![]() |
SQJQ100EL-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8 | 2884 Подробнее о заказе |
![]() |
RM2309 | MOSFET P-CHANNEL 30V 3.1A SOT23 | 960 Подробнее о заказе |
![]() |
SI3440ADV-T1-GE3 | MOSFET N-CH 150V 2.2A 6TSOP | 4684 Подробнее о заказе |
![]() |
CSD18535KCS | MOSFET N-CH 60V 200A TO220-3 | 1248 Подробнее о заказе |
В наличии | 56011 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.83000 | $0.83 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.