TPW1R306PL,L1Q

TPW1R306PL,L1Q
Увеличить

Только для справки

номер части TPW1R306PL,L1Q
LIXINC Part # TPW1R306PL,L1Q
Производитель Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 260A 8DSOP
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD TPW1R306PL,L1Q След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

TPW1R306PL,L1Q Технические характеристики

номер части:TPW1R306PL,L1Q
Бренд:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:U-MOSIX-H
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:260A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:1.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.5V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:91 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:8100 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):960mW (Ta), 170W (Tc)
Рабочая Температура:175°C
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-DSOP Advance
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPP60R360P7XKSA1 IPP60R360P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 1886

Подробнее о заказе

DMP2023UFDF-13 DMP2023UFDF-13 MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN 935

Подробнее о заказе

IXTQ30N60P IXTQ30N60P MOSFET N-CH 600V 30A TO3P 201261

Подробнее о заказе

SQS482EN-T1_GE3 SQS482EN-T1_GE3 MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 3557

Подробнее о заказе

FQP16N25C FQP16N25C MOSFET N-CH 250V 15.6A TO220-3 25614

Подробнее о заказе

STB7NK80Z-1 STB7NK80Z-1 MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK 931

Подробнее о заказе

PMV25ENEA215 PMV25ENEA215 PMV25E SMALL SIGNAL FET, SOT23 288917

Подробнее о заказе

MCH6341-TL-H MCH6341-TL-H MOSFET P-CH 30V 5A 6MCPH 1329699

Подробнее о заказе

STWA20N95DK5 STWA20N95DK5 MOSFET N-CH 950V 18A TO247 885

Подробнее о заказе

2N7002H-13 2N7002H-13 MOSFET N-CH 60V 170MA SOT23 802

Подробнее о заказе

STO36N60M6 STO36N60M6 MOSFET N-CH 600V 30A TOLL 2544

Подробнее о заказе

SPD07N60C3ATMA1 SPD07N60C3ATMA1 LOW POWER_LEGACY 3904

Подробнее о заказе

RSF010P05TL RSF010P05TL MOSFET P-CH 45V 1A TUMT3 5212

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 12569 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.92000$2.92
5000$1.45480$7274

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top