Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB80N06S207ATMA4

IPB80N06S207ATMA4
Увеличить

Только для справки

номер части IPB80N06S207ATMA4
LIXINC Part # IPB80N06S207ATMA4
Производитель Rochester Electronics
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3-2
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB80N06S207ATMA4 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB80N06S207ATMA4 Технические характеристики

номер части:IPB80N06S207ATMA4
Бренд:Rochester Electronics
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Rochester Electronics
ряд:OptiMOS™
упаковка:Bulk
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:6.3mOhm @ 68A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 180µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:110 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3.4 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):250W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB80N06S207ATMA4 Документы

if IPB80N06S207ATMA4 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IRFB61N15DPBF IRFB61N15DPBF MOSFET N-CH 150V 60A TO220AB 872

Подробнее о заказе
C3M0045065D C3M0045065D GEN 3 650V 45 M SIC MOSFET 1257

Подробнее о заказе
NTD3813NT4G NTD3813NT4G MOSFET N-CH 16V 9.6A/51A DPAK 138426

Подробнее о заказе
AOTF296L AOTF296L MOSFET N-CH 100V 10A/41A TO220F 1493

Подробнее о заказе
AUIRLR2905 AUIRLR2905 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 32506

Подробнее о заказе
SMBF1046LT1 SMBF1046LT1 NFET SOT23 SPECIAL TR 18903

Подробнее о заказе
IPP70N12S3L12AKSA1 IPP70N12S3L12AKSA1 MOSFET N-CH 120V 70A TO220-3-1 40354

Подробнее о заказе
HUFA76639P3 HUFA76639P3 MOSFET N-CH 100V 51A TO220-3 1936

Подробнее о заказе
STI32N65M5 STI32N65M5 MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK 852

Подробнее о заказе
IPI126N10N3G IPI126N10N3G N-CHANNEL POWER MOSFET 815

Подробнее о заказе
IXFP12N65X2 IXFP12N65X2 MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB 1268

Подробнее о заказе
ISL9N303AS3ST ISL9N303AS3ST MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK 9235

Подробнее о заказе
STW20N65M5 STW20N65M5 MOSFET N-CH 650V 18A TO247 1136

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 35848 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.02000$1.02
1000$1.02000$1020

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top