TK13A50DA(STA4,Q,M | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK13A50DA(STA4,Q,M | TK13A50DA(STA4,Q,M Inventory, Best Pricing

TK13A50DA(STA4,Q,M

Увеличить

Только для справки

номер части	TK13A50DA(STA4,Q,M
LIXINC Part #	TK13A50DA(STA4,Q,M
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 500V 12.5A TO220SIS
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK13A50DA(STA4,Q,M След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK13A50DA(STA4,Q,M Технические характеристики

номер части:	TK13A50DA(STA4,Q,M
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	π-MOSVII
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	500 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	470mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	28 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1550 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	45W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-220SIS
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

STD7N65M2	MOSFET N-CH 650V 5A DPAK	987 Подробнее о заказе
IPA60R280C6XKSA1	MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP	926 Подробнее о заказе
SQM50N04-4M0L_GE3	MOSFET N-CHANNEL 40V 50A TO263	945 Подробнее о заказе
SIHB33N60E-GE3	MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK	3856 Подробнее о заказе
IRFR010TRPBF	MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK	855 Подробнее о заказе
CSD25213W10	MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA	18628 Подробнее о заказе
BUK9M9R5-40HX	MOSFET N-CH 40V 40A LFPAK33	2268 Подробнее о заказе
R6004KNX	MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM	1281 Подробнее о заказе
IPD65R660CFD	IPD65R660 - 650V AND 700V COOLMO	1749 Подробнее о заказе
RCJ081N20TL	MOSFET N-CH 200V 8A LPTS	1814 Подробнее о заказе
PSMN1R5-30YLC,115	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56	1205 Подробнее о заказе
RSD100N10TL	MOSFET N-CH 100V 10A CPT3	1014 Подробнее о заказе
NVMFS5826NLT1G	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6	4570 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$2.40360	$2.4036
50	$2.40360	$120.18

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015