FDMS8622

FDMS8622
Увеличить

Только для справки

номер части FDMS8622
LIXINC Part # FDMS8622
Производитель Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 4.8A/16.5A 8QFN
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD FDMS8622 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

FDMS8622 Технические характеристики

номер части:FDMS8622
Бренд:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:PowerTrench®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:56mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 31W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:8-PQFN (5x6)
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

IPD100N06S403ATMA1 IPD100N06S403ATMA1 MOSFET N-CH 60V 100A TO252-31 17397

Подробнее о заказе

IRFR422 IRFR422 N-CHANNEL POWER MOSFET 2012

Подробнее о заказе

STD4LN80K5 STD4LN80K5 MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK 2056

Подробнее о заказе

SI1078X-T1-GE3 SI1078X-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F 968

Подробнее о заказе

FQPF19N10L FQPF19N10L MOSFET N-CH 100V 13.6A TO220F 2326

Подробнее о заказе

IRLR2908PBF IRLR2908PBF HEXFET POWER MOSFET 873

Подробнее о заказе

IRFR6215PBF IRFR6215PBF PFET, 13A I(D), 150V, 0.295OHM, 977

Подробнее о заказе

STD4N80K5 STD4N80K5 MOSFET N-CH 800V 3A DPAK 5809

Подробнее о заказе

FDS6680 FDS6680 MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC 59326

Подробнее о заказе

NVMFS6H800NLWFT1G NVMFS6H800NLWFT1G MOSFET N-CH 80V 30A/224A 5DFN 949

Подробнее о заказе

NVMFS5C404NT1G NVMFS5C404NT1G POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR 880

Подробнее о заказе

TSM5NC50CP ROG TSM5NC50CP ROG MOSFET N-CHANNEL 500V 5A TO252 3337

Подробнее о заказе

SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK 7098

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 300918846 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.99000$0.99
3000$0.42143$1264.29
6000$0.39392$2363.52
15000$0.38016$5702.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top