BSC070N10NS3GATMA1

BSC070N10NS3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC070N10NS3GATMA1
LIXINC Part # BSC070N10NS3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 90A TDSON-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC070N10NS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC070N10NS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC070N10NS3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:7mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.5V @ 75µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:55 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4000 pF @ 50 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):114W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-1
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

Продукты, которые могут вас заинтересовать

PSMN2R2-25YLC,115 PSMN2R2-25YLC,115 MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56 3198

Подробнее о заказе

IRL7833STRLPBF IRL7833STRLPBF MOSFET N-CH 30V 150A D2PAK 1645

Подробнее о заказе

IPP60R080P7XKSA1 IPP60R080P7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 37A TO220-3 985

Подробнее о заказе

PMPB50ENEX PMPB50ENEX MOSFET DFN2020MD-6 3914

Подробнее о заказе

PMPB100ENEA115 PMPB100ENEA115 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 30868

Подробнее о заказе

SI7434ADP-T1-RE3 SI7434ADP-T1-RE3 MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK 3634

Подробнее о заказе

IRF9520STRRPBF IRF9520STRRPBF MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK 987

Подробнее о заказе

PSMN057-200B,118 PSMN057-200B,118 MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK 4293

Подробнее о заказе

DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE-7 MOSFET N-CH 30V 10A 6UDFN 3949

Подробнее о заказе

IPP80N04S304AKSA1 IPP80N04S304AKSA1 N-CHANNEL POWER MOSFET 27811

Подробнее о заказе

C3M0280090J C3M0280090J SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7 805

Подробнее о заказе

IRF7450PBF IRF7450PBF SMPS HEXFET POWER MOSFET 817

Подробнее о заказе

BSZ22DN20NS3G BSZ22DN20NS3G BSZ22DN20 - 12V-300V N-CHANNEL P 1953

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 101117 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.74000$1.74
5000$0.82349$4117.45
10000$0.79609$7960.9

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top