Только для справки
номер части | FQP32N12V2 |
LIXINC Part # | FQP32N12V2 |
Производитель | Rochester Electronics |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 120V 32A TO220-3 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | FQP32N12V2 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 21 - Sep 25 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | FQP32N12V2 |
Бренд: | Rochester Electronics |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Rochester Electronics |
ряд: | QFET® |
упаковка: | Tube |
статус детали: | Obsolete |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 120 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 32A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 50mOhm @ 16A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±30V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1.86 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 150W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
тип крепления: | Through Hole |
пакет устройств поставщика: | TO-220-3 |
упаковка / чехол: | TO-220-3 |
IXFH52N50P2 | MOSFET N-CH 500V 52A TO247AD | 813 Подробнее о заказе |
|
SIHF22N65E-GE3 | MOSFET N-CH 650V 22A TO220 | 854 Подробнее о заказе |
|
IRFU1N60APBF | MOSFET N-CH 600V 1.4A TO251AA | 3424 Подробнее о заказе |
|
IRFIBE30GPBF | MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3 | 1634 Подробнее о заказе |
|
FDB603AL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 40162 Подробнее о заказе |
|
IXFT320N10T2 | MOSFET N-CH 100V 320A TO268 | 1301 Подробнее о заказе |
|
BB502CBS-TL-H | RF N-CHANNEL MOSFET | 60885 Подробнее о заказе |
|
IRFR24N15DPBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 6557 Подробнее о заказе |
|
IRFF232 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1269 Подробнее о заказе |
|
SIRA88DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 30V 45.5A PPAK SO-8 | 1488 Подробнее о заказе |
|
IRF2204PBF | MOSFET N-CH 40V 210A TO220AB | 968 Подробнее о заказе |
|
IPP037N08N3G | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 829 Подробнее о заказе |
|
SI7370DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8 | 1380 Подробнее о заказе |
В наличии | 12195 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.59000 | $0.59 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.