Только для справки
номер части | SQJ407EP-T1_GE3 |
LIXINC Part # | SQJ407EP-T1_GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SQJ407EP-T1_GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Sep 28 - Oct 02 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SQJ407EP-T1_GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | P-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 60A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 4.4mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.5V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 260 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 10700 pF @ 25 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 68W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8 |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
RD3H080SPTL1 | MOSFET P-CH 45V 8A TO252 | 4629 Подробнее о заказе |
|
R6024ENX | MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM | 1138 Подробнее о заказе |
|
FDP19N40 | MOSFET N-CH 400V 19A TO220-3 | 8842822 Подробнее о заказе |
|
TPH1110FNH,L1Q | MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP | 4926 Подробнее о заказе |
|
IRF2807ZSTRLPBF | MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK | 935 Подробнее о заказе |
|
IRF9520PBF | MOSFET P-CH 100V 6.8A TO220AB | 1397 Подробнее о заказе |
|
FDMC8588DC | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 1508 Подробнее о заказе |
|
IPU60R600C6 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 962 Подробнее о заказе |
|
IPP70N10S312AKSA1 | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3-1 | 11062 Подробнее о заказе |
|
NTMFS5H425NLT1G | MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN | 825 Подробнее о заказе |
|
SSM3J15CT(TPL3) | MOSFET P-CH 30V 100MA CST3 | 3785 Подробнее о заказе |
|
IPI100N06S3L-03 | MOSFET N-CH 55V 100A TO262-3 | 3401 Подробнее о заказе |
|
STB6NK60ZT4 | MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK | 1741 Подробнее о заказе |
В наличии | 10874 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $1.29000 | $1.29 |
3000 | $0.60397 | $1811.91 |
6000 | $0.57561 | $3453.66 |
15000 | $0.55536 | $8330.4 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.