SQ4850EY-T1_GE3 | Vishay / Siliconix SQ4850EY-T1_GE3 | SQ4850EY-T1

SQ4850EY-T1_GE3

Увеличить

Только для справки

номер части	SQ4850EY-T1_GE3
LIXINC Part #	SQ4850EY-T1_GE3
Производитель	Vishay / Siliconix
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	SQ4850EY-T1_GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 27 - Oct 01 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

SQ4850EY-T1_GE3 Технические характеристики

номер части:	SQ4850EY-T1_GE3
Бренд:	Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Vishay / Siliconix
ряд:	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	12A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	22mOhm @ 6A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.5V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	30 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	1250 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	6.8W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	8-SO
упаковка / чехол:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

APT10M19BVRG	MOSFET N-CH 100V 75A TO247	813 Подробнее о заказе
IPA60R199CPXKSA1	MOSFET N-CH 650V 16A TO220-FP	827 Подробнее о заказе
BUK7212-55B,118	MOSFET N-CH 55V 75A DPAK	884 Подробнее о заказе
EPC2039	GANFET N-CH 80V 6.8A DIE	90109 Подробнее о заказе
AON6510	MOSFET N-CH 30V 28A/32A 8DFN	1271 Подробнее о заказе
IRF840LCSTRRPBF	MOSFET N-CH 500V 8A TO263AB	871 Подробнее о заказе
2SK209-Y(TE85L,F)	MOSFET N-CH 10V 14MA SC59	12294 Подробнее о заказе
PSMN130-200D,118-NEX	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2	911 Подробнее о заказе
PMZB670UPE,315	MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3	30466 Подробнее о заказе
STW21NM60ND	MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3	1094 Подробнее о заказе
SQ1470AEH-T1_GE3	MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT363 SC70	6267 Подробнее о заказе
UPA2521T1H-T2-AT	MOSFET N-CH 30V 8A 8VSOF	84965 Подробнее о заказе
SSM6J502NU,LF	MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB	3201 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015