Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPB70N10S312ATMA1

IPB70N10S312ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPB70N10S312ATMA1
LIXINC Part # IPB70N10S312ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 100V 70A TO263-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPB70N10S312ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 26 - Sep 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPB70N10S312ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPB70N10S312ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):100 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:70A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:11.3mOhm @ 70A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 83µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:66 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:4355 pF @ 25 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO263-3-2
упаковка / чехол:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

IPB70N10S312ATMA1 Документы

if IPB70N10S312ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK98180-100A/CUX BUK98180-100A/CUX MOSFET N-CH 100V 4.6A SOT223 916

Подробнее о заказе
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3 994

Подробнее о заказе
TK16A60W5,S4VX TK16A60W5,S4VX MOSFET N-CH 600V 15.8A TO220SIS 873

Подробнее о заказе
CSD19536KCS CSD19536KCS MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3 9837

Подробнее о заказе
NVTFS4C08NTWG NVTFS4C08NTWG MOSFET N-CH 30V 17A 8WDFN 28656

Подробнее о заказе
2SK3221-AZ 2SK3221-AZ N-CHANNEL POWER MOSFET 18041

Подробнее о заказе
STP34NM60N STP34NM60N MOSFET N-CH 600V 29A TO220-3 1257

Подробнее о заказе
CSD17578Q3A CSD17578Q3A MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON 2309

Подробнее о заказе
STL285N4F7AG STL285N4F7AG MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 856

Подробнее о заказе
IXFY26N30X3 IXFY26N30X3 MOSFET N-CH 300V 26A TO252AA 1332

Подробнее о заказе
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB 1309

Подробнее о заказе
IXFX26N120P IXFX26N120P MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3 979

Подробнее о заказе
FDS6614A FDS6614A MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC 26825

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 11456 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.31000$2.31
1000$0.94429$944.29
2000$0.87917$1758.34
5000$0.84660$4233
10000$0.82884$8288.4

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top