Только для справки
номер части | SIDR610DP-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIDR610DP-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIDR610DP-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIDR610DP-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 200 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 8.9A (Ta), 39.6A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 7.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 31.9mOhm @ 10A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 4V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 38 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1380 pF @ 100 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 6.25W (Ta), 125W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SO-8DC |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SO-8 |
IRF7326D2TRPBF | MOSFET P-CH 30V 3.6A 8SO | 3308 Подробнее о заказе |
|
SQD45P03-12_GE3 | MOSFET P-CH 30V 50A TO252 | 2891 Подробнее о заказе |
|
FDB024N08BL7 | MOSFET N-CH 80V 120A TO263-7 | 1259 Подробнее о заказе |
|
NVTJD4105CT1G | MOSFET 20V 0.63A SC-88 | 4008 Подробнее о заказе |
|
BUK9515-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 54A TO220AB | 830 Подробнее о заказе |
|
IXFX90N60X | MOSFET N-CH 600V 90A PLUS247-3 | 842 Подробнее о заказе |
|
IXFA18N60X | MOSFET N-CH 600V 18A TO263AA | 1630 Подробнее о заказе |
|
TSM900N06CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 60V 11A TO251 | 4745 Подробнее о заказе |
|
NTMS5P02R2SG | MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC | 7941 Подробнее о заказе |
|
DMN2230UQ-7 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT23 | 16893 Подробнее о заказе |
|
IPW65R145CFD7AXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3 | 886 Подробнее о заказе |
|
IXTQ32N65X | MOSFET N-CH 650V 32A TO3P | 2003 Подробнее о заказе |
|
SI4483ADY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 19.2A 8SO | 13207 Подробнее о заказе |
В наличии | 12099 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $3.58000 | $3.58 |
3000 | $1.99250 | $5977.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.