IPA80R1K4CEXKSA2 | IR (Infineon Technologies) IPA80R1K4CEXKSA2 | IPA80R1K4CEXKSA2 Inventory, Best Pricing

IPA80R1K4CEXKSA2

Увеличить

Только для справки

номер части	IPA80R1K4CEXKSA2
LIXINC Part #	IPA80R1K4CEXKSA2
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPA80R1K4CEXKSA2 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 05 - Jul 09 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPA80R1K4CEXKSA2 Технические характеристики

номер части:	IPA80R1K4CEXKSA2
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	CoolMOS™
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	800 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.9A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.4Ohm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.9V @ 240µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	23 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	570 pF @ 100 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	31W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	PG-TO220 Full Pack
упаковка / чехол:	TO-220-3 Full Pack

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015