Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSC050NE2LSATMA1

BSC050NE2LSATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSC050NE2LSATMA1
LIXINC Part # BSC050NE2LSATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 39A/58A TDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSC050NE2LSATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSC050NE2LSATMA1 Технические характеристики

номер части:BSC050NE2LSATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:39A (Ta), 58A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:10.4 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:760 pF @ 12 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.5W (Ta), 28W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TDSON-8-5
упаковка / чехол:8-PowerTDFN

BSC050NE2LSATMA1 Документы

if BSC050NE2LSATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BSH203,215 BSH203,215 MOSFET P-CH 30V 470MA TO236AB 3511

Подробнее о заказе
BUK7M33-60EX BUK7M33-60EX MOSFET N-CH 60V 24A LFPAK33 907

Подробнее о заказе
SI2304-TP SI2304-TP MOSFET N-CH 30V 2.5A SOT23 2683

Подробнее о заказе
IRF540NLPBF IRF540NLPBF MOSFET N-CH 100V 33A TO262 2556

Подробнее о заказе
FCD2250N80Z FCD2250N80Z MOSFET N-CH 800V 2.6A DPAK 1012

Подробнее о заказе
BUK9612-55B,118 BUK9612-55B,118 MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK 4164

Подробнее о заказе
APT10M19SVRG APT10M19SVRG MOSFET N-CH 100V 75A D3PAK 986

Подробнее о заказе
FDD86569-F085 FDD86569-F085 MOSFET N-CH 60V 90A DPAK 1424

Подробнее о заказе
IPA65R065C7XKSA1 IPA65R065C7XKSA1 MOSFET N-CH 650V 15A TO220-FP 28354

Подробнее о заказе
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK 3347

Подробнее о заказе
IPI60R099CPAAKSA1 IPI60R099CPAAKSA1 PFET, 31A I(D), 600V, 0.105OHM, 18235

Подробнее о заказе
MIC94052BC6TR MIC94052BC6TR P-CHANNEL POWER MOSFET 811

Подробнее о заказе
ATP207-TL-H ATP207-TL-H MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK 3425

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 52851 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.94000$0.94
5000$0.42862$2143.1
10000$0.41454$4145.4
25000$0.40686$10171.5

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top