IPB067N08N3GATMA1 | IR (Infineon Technologies) IPB067N08N3GATMA1 | IPB067N08N3GATMA1 Inventory, Best Pricing

IPB067N08N3GATMA1

Увеличить

Только для справки

номер части	IPB067N08N3GATMA1
LIXINC Part #	IPB067N08N3GATMA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	IPB067N08N3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

IPB067N08N3GATMA1 Технические характеристики

номер части:	IPB067N08N3GATMA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	80A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	6.7mOhm @ 73A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.5V @ 73µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	3840 pF @ 40 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	136W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	D²PAK (TO-263AB)
упаковка / чехол:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

BUK7Y25-40B/C3115	N-CHANNEL POWER MOSFET	11481 Подробнее о заказе
IRFR9010TRPBF	MOSFET P-CH 50V 5.3A DPAK	2738 Подробнее о заказе
IXTQ30N50L2	MOSFET N-CH 500V 30A TO3P	1843 Подробнее о заказе
HUF76407D3ST	N-CHANNEL LOGIC LEVEL ULTRAFET P	25152 Подробнее о заказе
APT17F100S	MOSFET N-CH 1000V 17A D3PAK	897 Подробнее о заказе
PH6530AL115	POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR	5464 Подробнее о заказе
IXTP44N10T	MOSFET N-CH 100V 44A TO220AB	945 Подробнее о заказе
SISS26DN-T1-GE3	MOSFET N-CH 60V 60A PPAK1212-8S	25143 Подробнее о заказе
IRFB3206GPBF	MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB	1282 Подробнее о заказе
PMV37EN,215	SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI	735943 Подробнее о заказе
DMG3415UFY4Q-7	MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015	5602 Подробнее о заказе
TSM60N600CI C0G	MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB	843 Подробнее о заказе
SIHF12N65E-GE3	MOSFET N-CH 650V 12A TO220	1585 Подробнее о заказе

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015