Только для справки
номер части | SI8806DB-T2-E1 |
LIXINC Part # | SI8806DB-T2-E1 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 12V 4MICROFOOT |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SI8806DB-T2-E1 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SI8806DB-T2-E1 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 12 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 2.8A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 1.8V, 4.5V |
rds on (max) @ id, vgs: | 43mOhm @ 1A, 4.5V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 1V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 17 nC @ 8 V |
ВГС (макс.): | ±8V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 500mW (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | 4-Microfoot |
упаковка / чехол: | 4-XFBGA |
SPA02N80C3XKSA1 | MOSFET N-CH 800V 2A TO220-FP | 909 Подробнее о заказе |
|
SI7114DN-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8 | 5513 Подробнее о заказе |
|
DMN3009SK3-13 | MOSFET N-CHANNEL 30V 80A TO252 | 878 Подробнее о заказе |
|
SUD20N10-66L-BE3 | MOSFET N-CH 100V 16.9A DPAK | 2694 Подробнее о заказе |
|
TSM180P03CS RLG | MOSFET P-CHANNEL 30V 10A 8SOP | 5595 Подробнее о заказе |
|
DMT6010SCT | MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3 | 245179 Подробнее о заказе |
|
IPU95R1K2P7AKMA1 | MOSFET N-CH 950V 6A TO251-3 | 2394 Подробнее о заказе |
|
IXFH70N20Q3 | MOSFET N-CH 200V 70A TO247AD | 877 Подробнее о заказе |
|
GKI06185 | MOSFET N-CH 60V 7A 8DFN | 935 Подробнее о заказе |
|
BSC011N03LSTATMA1 | MOSFET N-CH 30V 39A/100A TDSON | 5122 Подробнее о заказе |
|
PMCM4401VPEZ | MOSFET P-CH 12V 3.9A 4WLCSP | 1741 Подробнее о заказе |
|
STD11N65M5 | MOSFET N CH 650V 9A DPAK | 2319 Подробнее о заказе |
|
SI1013R-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A | 29324 Подробнее о заказе |
В наличии | 10835 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.48000 | $0.48 |
3000 | $0.18835 | $565.05 |
6000 | $0.17687 | $1061.22 |
15000 | $0.16539 | $2480.85 |
30000 | $0.15736 | $4720.8 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.