SIR862DP-T1-GE3

SIR862DP-T1-GE3
Увеличить

Только для справки

номер части SIR862DP-T1-GE3
LIXINC Part # SIR862DP-T1-GE3
Производитель Vishay / Siliconix
Категория дискретный полупроводниктранзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD SIR862DP-T1-GE3 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SIR862DP-T1-GE3 Технические характеристики

номер части:SIR862DP-T1-GE3
Бренд:Vishay / Siliconix
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:Vishay / Siliconix
ряд:TrenchFET®
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):25 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:50A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:2.8mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:2.3V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:90 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3800 pF @ 10 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):5.2W (Ta), 69W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PowerPAK® SO-8
упаковка / чехол:PowerPAK® SO-8

Продукты, которые могут вас заинтересовать

FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3 7384965

Подробнее о заказе

UF3C065080K4S UF3C065080K4S MOSFET N-CH 650V 31A TO247-4 1505

Подробнее о заказе

APT19F100J APT19F100J MOSFET N-CH 1000V 20A ISOTOP 833

Подробнее о заказе

IRF540STRLPBF IRF540STRLPBF MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK 1234

Подробнее о заказе

STF2NK60Z STF2NK60Z MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220FP 961

Подробнее о заказе

RM2A8N60S4 RM2A8N60S4 MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-3 873

Подробнее о заказе

TSM150P04LCS RLG TSM150P04LCS RLG MOSFET P-CHANNEL 40V 22A 8SOP 10330

Подробнее о заказе

RM90N30LD RM90N30LD MOSFET N-CHANNEL 30V 90A TO252-2 1000972

Подробнее о заказе

IRF2804SPBF-IR IRF2804SPBF-IR HEXFET POWER MOSFET 887

Подробнее о заказе

IPA65R1K0CEXKSA1 IPA65R1K0CEXKSA1 MOSFET N-CH 650V 7.2A TO220 1298

Подробнее о заказе

BUK956R1-100E,127 BUK956R1-100E,127 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 1944

Подробнее о заказе

BSD816SNL6327 BSD816SNL6327 SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET 14677

Подробнее о заказе

IPAN65R650CEXKSA1 IPAN65R650CEXKSA1 MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220 857

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 13780 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$1.49000$1.49
3000$0.70061$2101.83
6000$0.66772$4006.32
15000$0.64422$9663.3

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
SKYPE
LIXINC

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top