TK39J60W5,S1VQ | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK39J60W5,S1VQ

TK39J60W5,S1VQ

Увеличить

Только для справки

номер части	TK39J60W5,S1VQ
LIXINC Part #	TK39J60W5,S1VQ
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 38.8A TO3P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK39J60W5,S1VQ След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK39J60W5,S1VQ Технические характеристики

номер части:	TK39J60W5,S1VQ
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	DTMOSIV
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	38.8A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	65mOhm @ 19.4A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 1.9mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	135 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	4100 pF @ 300 V
Фет-функция:	Super Junction
рассеиваемая мощность (макс.):	270W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-3P(N)
упаковка / чехол:	TO-3P-3, SC-65-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015