Только для справки
номер части | SIA483DJ-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SIA483DJ-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6 |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SIA483DJ-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 09 - Oct 13 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SIA483DJ-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | P-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 12A (Tc) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 21mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 2.2V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 45 nC @ 10 V |
ВГС (макс.): | ±20V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | 1550 pF @ 15 V |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 3.5W (Ta), 19W (Tc) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | PowerPAK® SC-70-6 Single |
упаковка / чехол: | PowerPAK® SC-70-6 |
NIF9N05CLT3 | MOSFET N-CH 52V 2.6A SOT223 | 8232 Подробнее о заказе |
|
FKI10126 | MOSFET N-CH 100V 41A TO220F | 814 Подробнее о заказе |
|
IPI80N04S2-04 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1115 Подробнее о заказе |
|
TK7A50D(STA4,Q,M) | MOSFET N-CH 500V 7A TO220SIS | 890 Подробнее о заказе |
|
ES6U42T2R | MOSFET P-CH 20V 1A 6WEMT | 811 Подробнее о заказе |
|
BSC018N04LSGATMA1 | MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON | 5135 Подробнее о заказе |
|
EPC2203 | GANFET N-CH 80V 1.7A DIE | 1256 Подробнее о заказе |
|
IRF540ZLPBF | MOSFET N-CH 100V 36A TO262 | 1973 Подробнее о заказе |
|
AUIRF6218STRL | AUTOMOTIVE HEXFET P CHANNEL | 936 Подробнее о заказе |
|
SI4435DDY-T1-E3 | MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO | 13892 Подробнее о заказе |
|
SQS484EN-T1_GE3 | MOSFET N-CH 40V 16A PPAK1212-8 | 9735 Подробнее о заказе |
|
CSD17305Q5A | MOSFET N-CH 30V 29A/100A 8VSON | 2368 Подробнее о заказе |
|
SPA06N60C3XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 6.2A TO220-FP | 981 Подробнее о заказе |
В наличии | 16865 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.53000 | $0.53 |
3000 | $0.19490 | $584.7 |
6000 | $0.18233 | $1093.98 |
15000 | $0.16976 | $2546.4 |
30000 | $0.16095 | $4828.5 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.