Только для справки
номер части | SI4800BDY-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI4800BDY-T1-GE3 |
Производитель | Vishay / Siliconix |
Категория | дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Описание | MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO |
Жизненный цикл | Активный |
RoHS | Нет информации RoHS |
Модели EDA/CAD | SI4800BDY-T1-GE3 След и символ печатной платы |
Складские помещения | США, Европа, Китай, САР Гонконг |
Расчетная доставка | Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку) |
Гарантия | До 1 года [Ограниченная гарантия]* |
Оплата | |
Перевозки |
номер части: | SI4800BDY-T1-GE3 |
Бренд: | Vishay / Siliconix |
Жизненный цикл: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
Категория: | дискретный полупроводник |
Подкатегория: | транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные |
Производитель: | Vishay / Siliconix |
ряд: | TrenchFET® |
упаковка: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
статус детали: | Active |
тип фета: | N-Channel |
технологии: | MOSFET (Metal Oxide) |
напряжение сток-исток (vdss): | 30 V |
ток - непрерывный слив (id) при 25°c: | 6.5A (Ta) |
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.): | 4.5V, 10V |
rds on (max) @ id, vgs: | 18.5mOhm @ 9A, 10V |
vgs(th) (макс.) @ id: | 1.8V @ 250µA |
заряд затвора (qg) (max) @ vgs: | 13 nC @ 5 V |
ВГС (макс.): | ±25V |
входная емкость (ciss) (max) @ vds: | - |
Фет-функция: | - |
рассеиваемая мощность (макс.): | 1.3W (Ta) |
Рабочая Температура: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
тип крепления: | Surface Mount |
пакет устройств поставщика: | 8-SO |
упаковка / чехол: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
TSM4NB60CH X0G | MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO251 | 974 Подробнее о заказе |
|
IRFI4228PBF | HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET | 1146 Подробнее о заказе |
|
SI7634BDP-T1-E3 | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | 950 Подробнее о заказе |
|
IRLD014PBF | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP | 7907 Подробнее о заказе |
|
SPP02N60S5 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 6169 Подробнее о заказе |
|
SSM6J206FE(TE85L,F | MOSFET P-CH 20V 2A ES6 | 7083 Подробнее о заказе |
|
DMTH10H010SPS-13 | MOSFET N-CH 100V PWRDI5060 | 2005 Подробнее о заказе |
|
IPAW70R600CEXKSA1 | MOSFET N-CH 700V 10.5A TO220-31 | 4461 Подробнее о заказе |
|
BUK953R5-60E,127 | MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB | 3315 Подробнее о заказе |
|
NVD5C464NT4G | MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | 5012 Подробнее о заказе |
|
STP11N65M2 | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 | 949 Подробнее о заказе |
|
IPP65R310CFDXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 11.4A TO220-3 | 835 Подробнее о заказе |
|
IXFT220N20X3HV | MOSFET N-CH 200V 220A TO268HV | 1367 Подробнее о заказе |
В наличии | 15499 - Подробнее о заказе |
---|---|
Лимит котировки | Безлимитный |
Время выполнения | Подтвердить |
Минимум | 1 |
Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.
Qty. | Unit Price | Ext. Price |
---|---|---|
1 | $0.83000 | $0.83 |
2500 | $0.35579 | $889.475 |
5000 | $0.33270 | $1663.5 |
12500 | $0.32116 | $4014.5 |
25000 | $0.31485 | $7871.25 |
Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.
Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.