NTD5862N-1G | Rochester Electronics NTD5862N-1G | NTD5862N-1G Inventory, Best Pricing

NTD5862N-1G

Увеличить

Только для справки

номер части	NTD5862N-1G
LIXINC Part #	NTD5862N-1G
Производитель	Rochester Electronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 60V 98A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	NTD5862N-1G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

NTD5862N-1G Технические характеристики

номер части:	NTD5862N-1G
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	98A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	5.7mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	82 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	6 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	115W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.73000	$0.73

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015