Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

BSZ110N06NS3GATMA1

BSZ110N06NS3GATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части BSZ110N06NS3GATMA1
LIXINC Part # BSZ110N06NS3GATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 60V 20A 8TSDSON
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD BSZ110N06NS3GATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSZ110N06NS3GATMA1 Технические характеристики

номер части:BSZ110N06NS3GATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):60 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:20A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):10V
rds on (max) @ id, vgs:11mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:4V @ 23µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:33 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 30 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):2.1W (Ta), 50W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TSDSON-8
упаковка / чехол:8-PowerVDFN

BSZ110N06NS3GATMA1 Документы

if BSZ110N06NS3GATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

BUK6218-40C,118 BUK6218-40C,118 PFET, 42A I(D), 40V, 0.028OHM, 1 928

Подробнее о заказе
IRFR222 IRFR222 N-CHANNEL POWER MOSFET 1836

Подробнее о заказе
SQJA60EP-T1_BE3 SQJA60EP-T1_BE3 MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8 3983

Подробнее о заказе
RTL035N03FRATR RTL035N03FRATR MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 6750

Подробнее о заказе
IXFN50N50 IXFN50N50 MOSFET N-CH 500V 50A SOT-227B 944

Подробнее о заказе
AOD4S60 AOD4S60 MOSFET N-CH 600V 4A TO252 5602

Подробнее о заказе
SIHB12N60E-GE3 SIHB12N60E-GE3 MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK 1020

Подробнее о заказе
TJ10S04M3L,LXHQ TJ10S04M3L,LXHQ MOSFET P-CH 40V 10A DPAK 2775

Подробнее о заказе
STF23NM50N STF23NM50N MOSFET N-CH 500V 17A TO220FP 1902

Подробнее о заказе
TSM060N03CP ROG TSM060N03CP ROG MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252 7330

Подробнее о заказе
STD8N60DM2 STD8N60DM2 MOSFET N-CH 600V 8A DPAK 3309

Подробнее о заказе
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB 2809

Подробнее о заказе
HUF76445S3S HUF76445S3S MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK 1370

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 22450 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$0.88000$0.88
5000$0.33059$1652.95
10000$0.31835$3183.5
25000$0.31167$7791.75

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top