MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | Micron Technology MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Inventory, Best Pricing

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E

Увеличить

Только для справки

номер части	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
LIXINC Part #	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH RAM 4GBIT PAR 162VFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Технические характеристики

номер части:	MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH, RAM
технологии:	FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
объем памяти:	4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	533 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.8V
Рабочая Температура:	-25°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	162-VFBGA
пакет устройств поставщика:	162-VFBGA (11.5x13)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015