MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | Fujitsu Electronics America, Inc. MB85R256GPF-G-BND-ERE1 | MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Inventory, Best Pricing

MB85R256GPF-G-BND-ERE1

Увеличить

Только для справки

номер части	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
LIXINC Part #	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Производитель	Fujitsu Electronics America, Inc.
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FRAM 256KBIT PARALLEL
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MB85R256GPF-G-BND-ERE1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 26 - Oct 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 Технические характеристики

номер части:	MB85R256GPF-G-BND-ERE1
Бренд:	Fujitsu Electronics America, Inc.
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Fujitsu Electronics America, Inc.
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FRAM
технологии:	FRAM (Ferroelectric RAM)
объем памяти:	256Kb (32K x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	150ns
время доступа:	150 ns
напряжение - питание:	2.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015