MT29E3T08EUHBBM4-3:B | Micron Technology MT29E3T08EUHBBM4-3:B | MT29E3T08EUHBBM4-3:B Inventory, Best Pricing

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

Увеличить

Только для справки

номер части	MT29E3T08EUHBBM4-3:B
LIXINC Part #	MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH 3TB PARALLEL 333MHZ
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT29E3T08EUHBBM4-3:B След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 10 - Oct 14 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT29E3T08EUHBBM4-3:B Технические характеристики

номер части:	MT29E3T08EUHBBM4-3:B
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Not For New Designs
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NAND
объем памяти:	3Tb (384G x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	333 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	2.5V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	-
упаковка / чехол:	-
пакет устройств поставщика:	-

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$275.43000	$275.43
1120	$275.43000	$308481.6

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015