MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | Micron Technology MT53B512M32D2DS-053 AAT:E | MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Inventory, Best Pricing

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E

Увеличить

Только для справки

номер части	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
LIXINC Part #	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC DRAM 16GBIT 1866MHZ 200WFBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT53B512M32D2DS-053 AAT:E Технические характеристики

номер части:	MT53B512M32D2DS-053 AAT:E
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	Automotive, AEC-Q100
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	DRAM
технологии:	SDRAM - Mobile LPDDR4
объем памяти:	16Gb (512M x 32)
интерфейс памяти:	-
тактовая частота:	1.866 GHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	1.1V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 105°C (TC)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	200-WFBGA
пакет устройств поставщика:	200-WFBGA (10x14.5)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015