MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | Micron Technology MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR | MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Inventory, Best Pricing

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR

Увеличить

Только для справки

номер части	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
LIXINC Part #	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Производитель	Micron Technology
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 28 - Nov 01 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR Технические характеристики

номер части:	MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR
Бренд:	Micron Technology
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Micron Technology
ряд:	-
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NAND
объем памяти:	512Gb (64G x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	333 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	-
напряжение - питание:	2.5V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	132-VBGA
пакет устройств поставщика:	132-VBGA (12x18)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015