R1RW0408DGE-2LR#B1 | Renesas Electronics America R1RW0408DGE-2LR#B1 | R1RW0408DGE-2LR#B1 Inventory, Best Pricing

R1RW0408DGE-2LR#B1

Увеличить

Только для справки

номер части	R1RW0408DGE-2LR#B1
LIXINC Part #	R1RW0408DGE-2LR#B1
Производитель	Renesas Electronics America
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	R1RW0408DGE-2LR#B1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 26 - Oct 30 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

R1RW0408DGE-2LR#B1 Технические характеристики

номер части:	R1RW0408DGE-2LR#B1
Бренд:	Renesas Electronics America
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Renesas Electronics America
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип памяти:	Volatile
формат памяти:	SRAM
технологии:	SRAM
объем памяти:	4Mb (512K x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	12ns
время доступа:	12 ns
напряжение - питание:	3V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	0°C ~ 70°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
пакет устройств поставщика:	36-SOJ

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015