CY14V116N-BZ30XI | Rochester Electronics CY14V116N-BZ30XI | CY14V116N-BZ30XI Inventory, Best Pricing

CY14V116N-BZ30XI

Увеличить

Только для справки

номер части	CY14V116N-BZ30XI
LIXINC Part #	CY14V116N-BZ30XI
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	NON-VOLATILE SRAM, 1MX16, 30NS P
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	CY14V116N-BZ30XI След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 11 - Sep 15 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

CY14V116N-BZ30XI Технические характеристики

номер части:	CY14V116N-BZ30XI
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	NVSRAM
технологии:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
объем памяти:	16Mb (1M x 16)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	30ns
время доступа:	30 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 3.6V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	165-LBGA
пакет устройств поставщика:	165-FBGA (15x17)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015