S26KS512SDABHI030 | Cypress Semiconductor S26KS512SDABHI030 | S26KS512SDABHI030 Inventory, Best Pricing

S26KS512SDABHI030

Увеличить

Только для справки

номер части	S26KS512SDABHI030
LIXINC Part #	S26KS512SDABHI030
Производитель	Cypress Semiconductor
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC FLASH 512MBIT PARALLEL 24FBGA
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	S26KS512SDABHI030 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 17 - Oct 21 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

S26KS512SDABHI030 Технические характеристики

номер части:	S26KS512SDABHI030
Бренд:	Cypress Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Cypress Semiconductor
ряд:	HyperFlash™ KS
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	FLASH
технологии:	FLASH - NOR
объем памяти:	512Mb (64M x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	100 MHz
время цикла записи - слово, страница:	-
время доступа:	96 ns
напряжение - питание:	1.7V ~ 1.95V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Surface Mount
упаковка / чехол:	24-VBGA
пакет устройств поставщика:	24-FBGA (6x8)

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015