DS1230AB-200IND | Rochester Electronics DS1230AB-200IND | DS1230AB-200IND Inventory, Best Pricing

DS1230AB-200IND

Увеличить

Только для справки

номер части	DS1230AB-200IND
LIXINC Part #	DS1230AB-200IND
Производитель	Rochester Electronics
Категория	интегральные схемы › Память
Описание	IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	DS1230AB-200IND След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 17 - Oct 21 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

DS1230AB-200IND Технические характеристики

номер части:	DS1230AB-200IND
Бренд:	Rochester Electronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	интегральные схемы
Подкатегория:	Память
Производитель:	Rochester Electronics
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Obsolete
тип памяти:	Non-Volatile
формат памяти:	NVSRAM
технологии:	NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
объем памяти:	256Kb (32K x 8)
интерфейс памяти:	Parallel
тактовая частота:	-
время цикла записи - слово, страница:	200ns
время доступа:	200 ns
напряжение - питание:	4.75V ~ 5.25V
Рабочая Температура:	-40°C ~ 85°C (TA)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
пакет устройств поставщика:	28-EDIP

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$17.00000	$17

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015