HGTG27N120BN | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTG27N120BN

HGTG27N120BN

Увеличить

Только для справки

номер части	HGTG27N120BN
LIXINC Part #	HGTG27N120BN
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT NPT 1200V 72A TO247-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HGTG27N120BN След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 11 - Oct 15 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HGTG27N120BN Технические характеристики

номер части:	HGTG27N120BN
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Not For New Designs
тип IGBT:	NPT
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	72 A
ток - коллектор импульсный (icm):	216 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 27A
мощность - макс.:	500 W
переключение энергии:	2.2mJ (on), 2.3mJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	270 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	24ns/195ns
условия испытаний:	960V, 27A, 3Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	-
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-247-3
пакет устройств поставщика:	TO-247-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015