HGTP12N60A4D | Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor HGTP12N60A4D

HGTP12N60A4D

Увеличить

Только для справки

номер части	HGTP12N60A4D
LIXINC Part #	HGTP12N60A4D
Производитель	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - igbts - одиночные
Описание	IGBT 600V 54A TO220-3
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	HGTP12N60A4D След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

HGTP12N60A4D Технические характеристики

номер части:	HGTP12N60A4D
Бренд:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - igbts - одиночные
Производитель:	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Last Time Buy
тип IGBT:	-
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	600 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	54 A
ток - коллектор импульсный (icm):	96 A
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.7V @ 15V, 12A
мощность - макс.:	167 W
переключение энергии:	55µJ (on), 50µJ (off)
тип ввода:	Standard
заряд ворот:	78 nC
td (вкл./выкл.) при 25°C:	17ns/96ns
условия испытаний:	390V, 12A, 10Ohm, 15V
время обратного восстановления (trr):	30 ns
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
упаковка / чехол:	TO-220-3
пакет устройств поставщика:	TO-220-3

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015