2PS06017E32G28213NOSA1 | IR (Infineon Technologies) 2PS06017E32G28213NOSA1 | 2PS06017E32G28213NOSA1 Inventory, Best Pricing

2PS06017E32G28213NOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	2PS06017E32G28213NOSA1
LIXINC Part #	2PS06017E32G28213NOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MODULE 1100VDC 325A
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	2PS06017E32G28213NOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 22 - Sep 26 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

2PS06017E32G28213NOSA1 Технические характеристики

номер части:	2PS06017E32G28213NOSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Obsolete
тип IGBT:	-
конфигурация:	2 Independent
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	-
ток - коллектор (ic) (макс.):	-
мощность - макс.:	-
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	-
ток - отсечка коллектора (макс.):	-
входная емкость (cis) @ vce:	-
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-25°C ~ 55°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015