A1P50S65M2-F | STMicroelectronics A1P50S65M2-F | A1P50S65M2-F Inventory, Best Pricing

A1P50S65M2-F

Увеличить

Только для справки

номер части	A1P50S65M2-F
LIXINC Part #	A1P50S65M2-F
Производитель	STMicroelectronics
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK1
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	A1P50S65M2-F След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

A1P50S65M2-F Технические характеристики

номер части:	A1P50S65M2-F
Бренд:	STMicroelectronics
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	STMicroelectronics
ряд:	-
упаковка:	Tray
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench Field Stop
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	650 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	50 A
мощность - макс.:	208 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.3V @ 15V, 50A
ток - отсечка коллектора (макс.):	100 µA
входная емкость (cis) @ vce:	4.15 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	ACEPACK™ 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$39.89000	$39.89

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015