F475R12KS4B11BOSA1 | IR (Infineon Technologies) F475R12KS4B11BOSA1 | F475R12KS4B11BOSA1 Inventory, Best Pricing

F475R12KS4B11BOSA1

Увеличить

Только для справки

номер части	F475R12KS4B11BOSA1
LIXINC Part #	F475R12KS4B11BOSA1
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 100A 500W
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	F475R12KS4B11BOSA1 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

F475R12KS4B11BOSA1 Технические характеристики

номер части:	F475R12KS4B11BOSA1
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	-
конфигурация:	Three Phase Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	100 A
мощность - макс.:	500 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	3.75V @ 15V, 75A
ток - отсечка коллектора (макс.):	1 mA
входная емкость (cis) @ vce:	5.1 nF @ 25 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	-40°C ~ 125°C
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	Module
пакет устройств поставщика:	Module

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$143.95500	$143.955
10	$137.38235	$1373.8235

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015