VS-ENQ030L120S | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-ENQ030L120S

VS-ENQ030L120S

Увеличить

Только для справки

номер части	VS-ENQ030L120S
LIXINC Part #	VS-ENQ030L120S
Производитель	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - IGBT - модули
Описание	IGBT MOD 1200V 61A EMIPAK-1B
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	VS-ENQ030L120S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 07 - Oct 11 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

VS-ENQ030L120S Технические характеристики

номер части:	VS-ENQ030L120S
Бренд:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - IGBT - модули
Производитель:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ряд:	-
упаковка:	Bulk
статус детали:	Active
тип IGBT:	Trench
конфигурация:	Three Level Inverter
напряжение - пробой коллектор-эмиттер (макс.):	1200 V
ток - коллектор (ic) (макс.):	61 A
мощность - макс.:	216 W
vce(on) (макс.) @ vge, ic:	2.52V @ 15V, 30A
ток - отсечка коллектора (макс.):	230 µA
входная емкость (cis) @ vce:	3.34 nF @ 30 V
вход:	Standard
нтк термистор:	Yes
Рабочая Температура:	150°C (TJ)
тип крепления:	Chassis Mount
упаковка / чехол:	EMIPAK-1B
пакет устройств поставщика:	EMIPAK-1B

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015