TK12P60W,RVQ(S | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation TK12P60W,RVQ(S

TK12P60W,RVQ(S

Увеличить

Только для справки

номер части	TK12P60W,RVQ(S
LIXINC Part #	TK12P60W,RVQ(S
Производитель	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 600V 11.5A DPAK
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	TK12P60W,RVQ(S След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 25 - Sep 29 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

TK12P60W,RVQ(S Технические характеристики

номер части:	TK12P60W,RVQ(S
Бренд:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
ряд:	DTMOSIV
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	600 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	340mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	3.7V @ 600µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	25 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	890 pF @ 300 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	100W (Tc)
Рабочая Температура:	150°C
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	DPAK
упаковка / чехол:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015