PHT8N06LT,135 | NXP Semiconductors PHT8N06LT,135 | PHT8N06LT,135 Inventory, Best Pricing

PHT8N06LT,135

Увеличить

Только для справки

номер части	PHT8N06LT,135
LIXINC Part #	PHT8N06LT,135
Производитель	NXP Semiconductors
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	PHT8N06LT,135 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 04 - Jul 08 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

PHT8N06LT,135 Технические характеристики

номер части:	PHT8N06LT,135
Бренд:	NXP Semiconductors
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	NXP Semiconductors
ряд:	TrenchMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	55 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	3.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	5V
rds on (max) @ id, vgs:	80mOhm @ 5A, 5V
vgs(th) (макс.) @ id:	2V @ 1mA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	11.2 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±13V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	650 pF @ 25 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	SOT-223
упаковка / чехол:	TO-261-4, TO-261AA

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015