BSD214SN L6327 | IR (Infineon Technologies) BSD214SN L6327 | BSD214SN L6327 Inventory, Best Pricing

BSD214SN L6327

Увеличить

Только для справки

номер части	BSD214SN L6327
LIXINC Part #	BSD214SN L6327
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSD214SN L6327 След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Jul 09 - Jul 13 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSD214SN L6327 Технические характеристики

номер части:	BSD214SN L6327
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	20 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	1.5A (Ta)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	2.5V, 4.5V
rds on (max) @ id, vgs:	140mOhm @ 1.5A, 4.5V
vgs(th) (макс.) @ id:	1.2V @ 3.7µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	0.8 nC @ 5 V
ВГС (макс.):	±12V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	143 pF @ 10 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	500mW (Ta)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	PG-SOT363-6
упаковка / чехол:	6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015