BSB019N03LX G | IR (Infineon Technologies) BSB019N03LX G | BSB019N03LX G Inventory, Best Pricing

BSB019N03LX G

Увеличить

Только для справки

номер части	BSB019N03LX G
LIXINC Part #	BSB019N03LX G
Производитель	IR (Infineon Technologies)
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 30V 32A/174A 2WDSON
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	BSB019N03LX G След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Sep 19 - Sep 23 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

BSB019N03LX G Технические характеристики

номер части:	BSB019N03LX G
Бренд:	IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	IR (Infineon Technologies)
ряд:	OptiMOS™
упаковка:	Tape & Reel (TR)
статус детали:	Obsolete
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	30 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	32A (Ta), 174A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	4.5V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:	1.9mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	2.2V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	92 nC @ 10 V
ВГС (макс.):	±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	8400 pF @ 15 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Рабочая Температура:	-40°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Surface Mount
пакет устройств поставщика:	MG-WDSON-2, CanPAK M™
упаковка / чехол:	3-WDSON

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015