RM12N650IP | Rectron USA RM12N650IP | RM12N650IP Inventory, Best Pricing

RM12N650IP

Увеличить

Только для справки

номер части	RM12N650IP
LIXINC Part #	RM12N650IP
Производитель	Rectron USA
Категория	дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание	MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251
Жизненный цикл	Активный
RoHS	Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD	RM12N650IP След и символ печатной платы
Складские помещения	США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка	Oct 08 - Oct 12 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия	До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата
Перевозки

RM12N650IP Технические характеристики

номер части:	RM12N650IP
Бренд:	Rectron USA
Жизненный цикл:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
Категория:	дискретный полупроводник
Подкатегория:	транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:	Rectron USA
ряд:	-
упаковка:	Tube
статус детали:	Active
тип фета:	N-Channel
технологии:	MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):	650 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:	11.5A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):	10V
rds on (max) @ id, vgs:	360mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:	4V @ 250µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:	-
ВГС (макс.):	±30V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:	870 pF @ 50 V
Фет-функция:	-
рассеиваемая мощность (макс.):	101W (Tc)
Рабочая Температура:	-55°C ~ 150°C (TJ)
тип крепления:	Through Hole
пакет устройств поставщика:	TO-251
упаковка / чехол:	TO-251-3 Stub Leads, IPak

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Qty.	Unit Price	Ext. Price
1	$0.54000	$0.54

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

[email protected]

LIXINC

Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

ISO9001:2015 & ISO14001:2015