Электронная почта
Электронные компоненты распространяет
[email protected]
LIXINC Electronics Co., Limited LIXINC Electronics Co., Limited
Развернуть меню
RFQ

IPD046N08N5ATMA1

IPD046N08N5ATMA1
Увеличить

Только для справки

номер части IPD046N08N5ATMA1
LIXINC Part # IPD046N08N5ATMA1
Производитель IR (Infineon Technologies)
Категория дискретный полупроводник › транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Описание MOSFET N-CH 80V 90A TO252-3
Жизненный цикл Активный
RoHS Нет информации RoHS
Модели EDA/CAD IPD046N08N5ATMA1 След и символ печатной платы
Складские помещения США, Европа, Китай, САР Гонконг
Расчетная доставка Oct 06 - Oct 10 2024(Выберите ускоренную доставку)
Гарантия До 1 года [Ограниченная гарантия]*
Оплата Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
Перевозки DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

IPD046N08N5ATMA1 Технические характеристики

номер части:IPD046N08N5ATMA1
Бренд:IR (Infineon Technologies)
Жизненный цикл:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Категория:дискретный полупроводник
Подкатегория:транзисторы - полевые, мосфеты - одиночные
Производитель:IR (Infineon Technologies)
ряд:OptiMOS™
упаковка:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
статус детали:Active
тип фета:N-Channel
технологии:MOSFET (Metal Oxide)
напряжение сток-исток (vdss):80 V
ток - непрерывный слив (id) при 25°c:90A (Tc)
напряжение привода (макс. обороты вкл., мин. обороты вкл.):6V, 10V
rds on (max) @ id, vgs:4.6mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (макс.) @ id:3.8V @ 65µA
заряд затвора (qg) (max) @ vgs:53 nC @ 10 V
ВГС (макс.):±20V
входная емкость (ciss) (max) @ vds:3800 pF @ 40 V
Фет-функция:-
рассеиваемая мощность (макс.):125W (Tc)
Рабочая Температура:-55°C ~ 175°C (TJ)
тип крепления:Surface Mount
пакет устройств поставщика:PG-TO252-3
упаковка / чехол:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

IPD046N08N5ATMA1 Документы

if IPD046N08N5ATMA1 PDF-файл недоступен, вернуться

Продукты, которые могут вас заинтересовать

H5N5016PL-E H5N5016PL-E N-CHANNEL POWER MOSFET 910

Подробнее о заказе
IPB020NE7N3GATMA1 IPB020NE7N3GATMA1 MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK 1106

Подробнее о заказе
IXTY1R6N100D2 IXTY1R6N100D2 MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252 972

Подробнее о заказе
RJK0301DPB-00#J0 RJK0301DPB-00#J0 MOSFET N-CH 30V 60A LFPAK 73905

Подробнее о заказе
AUIRFS8403 AUIRFS8403 MOSFET N-CH 40V 123A D2PAK 8297

Подробнее о заказе
FCD850N80Z FCD850N80Z MOSFET N-CH 800V 6A DPAK 5977

Подробнее о заказе
TSM60NB600CF C0G TSM60NB600CF C0G MOSFET N-CH 600V 8A ITO220S 4645

Подробнее о заказе
STP60NF06L STP60NF06L MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB 863

Подробнее о заказе
FDP045N10A FDP045N10A 120A, 100V, 0.0045OHM, N CHANNEL 3768

Подробнее о заказе
RFD8P05SM RFD8P05SM MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA 2861

Подробнее о заказе
SIHB22N60E-E3 SIHB22N60E-E3 MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK 1184

Подробнее о заказе
IPD40N03S4L08ATMA1 IPD40N03S4L08ATMA1 MOSFET N-CH 30V 40A TO252-3-11 20322

Подробнее о заказе
BSC042N03LSGATMA1 BSC042N03LSGATMA1 MOSFET N-CH 30V 20A/93A TDSON 10692

Подробнее о заказе

Быстрый запрос

В наличии 10833 - Подробнее о заказе
Лимит котировки Безлимитный
Время выполнения Подтвердить
Минимум 1

Теплые советы: Пожалуйста, заполните форму ниже. Мы свяжемся с вами как можно скорее.

Цены (USD)

Qty. Unit Price Ext. Price
1$2.25000$2.25
2500$1.02805$2570.125

Lixinc предложит вам наиболее конкурентоспособные цены, пожалуйста, ознакомьтесь с котировками.

Связаться с нами

ПОЗВОНИТЕ НАМ
E-MAIL
[email protected]
SKYPE
LIXINC
Сообщение
Отправить сообщение

Пожалуйста чувствуйте свободным связаться мы для деталей.

Наши сертификаты

ISO9001:2015/ISO14001:2015
ISO9001:2015 & ISO14001:2015
Top